Một nghiên cứu được công bố trong Solar Energy Materials and Solar Cells volume 310 đã báo cáo việc chuẩn bị màng oxit dẫn điện trong suốt ZnO (GZO) pha tạp Ga trong quá trình lắng đọng plasma phản ứng (RPD) và áp dụng nó cho các tế bào mặt trời không đồng nhất silicon tinh thể (HJT) với hiệu suất chuyển đổi 24,92%. Tác giả của bài báo là Wanying Zou、Jingxuan Zhou、Yuanbo Gong、Wanyu Liu、Lei Zhao、Libin Mo、Hongwei Diao、Xiaojie Jia、Wenjing Wang、Guanghong Wang， Ngày xuất bản đánh dấu nguồn là ngày 15 tháng 1 năm 2027.
Màng oxit dẫn điện trong suốt là lớp chức năng quan trọng của các tế bào kết nối không đồng nhất để đạt được độ dẫn điện bên và sự xâm nhập của ánh sáng. Các nghiên cứu đã chọn hệ thống ZnO pha tạp Ga và sử dụng RPD làm phương tiện tạo màng, minh họa rằng tuyến đường này có kết quả thiết bị có thể kiểm chứng được trên việc chuẩn bị lớp dẫn trong suốt của các tế bào kết nối không đồng nhất silicon tinh thể. Dữ liệu hiệu quả&tuyến đường quá trình
Nghiên cứu đã đưa ra dữ liệu cốt lõi là hiệu suất chuyển đổi pin 24,92%, cấu trúc tương ứng với tế bào kết hợp không đồng nhất silicon tinh thể kết hợp với màng dẫn trong suốt GZO chuẩn bị RPD. Từ thông tin tóm tắt công khai, công việc này liên kết trực tiếp quá trình tạo màng với hiệu quả của thiết bị, cung cấp tham chiếu thử nghiệm mới cho sự kết hợp của vật liệu lớp dẫn điện trong suốt và phương thức lắng đọng.
Điều cần giải thích là, phần thân của nguồn chỉ cung cấp các thông tin như tiêu đề, số lượng tạp chí, tác giả và ngày xuất bản, không tiết lộ tỷ lệ pha tạp cụ thể, độ dày, điện trở vuông, tỷ lệ truyền qua và điện áp mạch hở của pin, dòng ngắn mạch, yếu tố làm đầy và các thông số phụ khác, cũng không đưa ra dữ liệu so sánh với tuyến đường của màng dẫn điện trong suốt khác. Vì vậy, cửa sổ và tính lặp lại của các giá trị hiệu quả trên vẫn chưa được đánh giá từ các nguồn hiện có.
Ý nghĩa đối với gói PV và vật liệu tấm nền
Tuyến pin không đồng nhất nhạy cảm với nhiệt độ, vật liệu đóng gói của nó và hệ thống tấm nền thường cần phải phù hợp với nhiệt độ xử lý thấp hơn và yêu cầu thời tiết và ổn định nghiêm ngặt hơn. Việc tăng hiệu suất pin sẽ trực tiếp làm tăng lợi ích phát điện của các thành phần trên một đơn vị diện tích, cũng sẽ làm cho vật liệu đóng gói, tấm nền và hệ thống chống oxy hóa hỗ trợ tăng trọng lượng hiệu suất trong lão hóa ngoài trời lâu dài: Một khi màng keo đóng gói màu vàng hoặc tấm nền lão hóa không thành công, lợi thế hiệu quả của đầu pin sẽ khó thực hiện trong vòng đời 25 năm.
Từ quan điểm của ngành công nghiệp phụ trợ polymer, loại công nghệ pin hiệu quả cao này sẽ tiếp tục kéo nhu cầu về chương trình ổn định thời tiết của vật liệu đóng gói, bao gồm thiết kế kết hợp chất chống oxy hóa và ổn định cho UV, nhiệt độ ẩm và oxy nóng lão hóa. Việc điều chỉnh quy trình màng dẫn điện trong suốt cũng có thể ảnh hưởng đến ngân sách nhiệt độ ở đầu pin, từ đó đưa ra các yêu cầu phù hợp mới đối với cửa sổ liên kết chéo và nhiều lớp của vật liệu đóng gói. Lưu trữ năng lượng và mở rộng cấp độ hệ thống Các thành phần silicon tinh thể hiệu quả cao cũng sẽ ảnh hưởng đến thiết kế hệ thống ở phía lưu trữ: mật độ năng lượng trên một đơn vị diện tích được cải thiện, giúp giảm chi phí hỗ trợ như giá đỡ, cáp và đất, làm cho cấu trúc chi phí điện tổng thể của lưu trữ quang điện thay đổi. Đối với các nhà cung cấp vật liệu, điều này có nghĩa là chu kỳ xác minh của tấm nền PV, vật liệu đóng gói và vật liệu polymer liên quan đến lưu trữ năng lượng sẽ liên kết chặt chẽ hơn với nhịp độ lặp đi lặp lại của lộ trình công nghệ pin. Thông tin công khai của nghiên cứu hiện đang tập trung vào kết quả hiệu quả và mức độ lộ trình của quá trình, độ tin cậy lâu dài của màng GZO, hiệu suất suy giảm năng lượng sau khi đóng gói ở cấp thành phần và chi phí quy mô hóa quy trình RPD và khả năng phù hợp với năng lực không được tiết lộ nguồn. Liên kết trên sẽ xác định con đường thực tế của công nghệ từ kỷ lục hiệu suất pin đến các thành phần sản xuất hàng loạt và vật liệu hỗ trợ hệ thống lưu trữ năng lượng.
quan sát hóa chất hợp lưu
xung quanh tấm nền PV, lưu trữ năng lượng, thời tiết ổn định, chống oxy hóa, vật liệu đóng gói, hợp lưu hóa chất liên tục quan tâm đến tiến bộ công nghệ trong lĩnh vực này, ổn định xử lý và ứng dụng hạ cánh. Bài viết này dựa trên thông tin nguồn để chỉnh sửa, công thức cụ thể, lựa chọn sản phẩm và kiểm tra hiệu suất xin kết hợp với tư vấn tình hình làm việc thực tế.
Nguồn:24.92% efficient crystalline silicon heterojunction solar cells with Ga-doped ZnO transparent conductive oxide films by RPD， Do Hợp Nhuận hóa chất chỉnh lý.